Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan AIOx ve AI-AIOx ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin alana bağlı değişimleri

Abstract

Bu çalışmada reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan saf Al O ve sermet A1-A10 filmlerinin dielektrik özellikleri incelendi. A A Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan filmlerin her iki yüzü alüminyum elektrodlarla kaplanarak oluşturulan kondansatörlerin, kompleks kapasite bileşenlerinin, değişik frekanslar için değerleri, Schering köprüsünde ölçüldü ve relaksasyon spektrumları elde edildi. Doğru elektrik alanın relaksasyon spektrumları üzerindeki etkisini incelemek amacıyla, örneklerin kompleks kapasite bileşenlerinin Schering köprüsünde doğru alan altında ölçülmesini sağlayan bir devre geliştirildi ve örneklere aft relaksasyon spektrumları m n alana bağlı değişimleri gözlendi. Bu değişimlerin eskime ile gerçekle şen değişimlere benzerliği vurgulandı. Relaksasyona neden olan yapısal özelliklerin anlaşılmasını ve alanın yapı üzerindeki etkilerinin araştırılmasını sağlamak üzere oeliştirilen yöntem yardımıyla, arayüz polarizasyon mekanizmasının oluşturduğu bu relaksasyonun, heterojen yapılarda ortaya çıkan bir Maxwell -Waqner relaksasyonu olduğu belirlendi. Söz konusu yöntemin uygulanması ile elde edilen Maxwell -Wagner eşdeğer devre elemanlarının, alana bağlı değişimleri analiz edildi. Heterojeni iğin ölçüsünü veren bir parametre tanımlandı ve bu parametrenin alana bağlı değişimlerinden, alanla yapının heterojenliğinin daha da arttığı anlaşıldı.