Yayın: Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
| dc.contributor.advisor | Prof. Dr. Tayyar Caferov | |
| dc.contributor.author | Öztemel, Suna | |
| dc.date.accessioned | 2018-07-17T13:19:10Z | |
| dc.date.accessioned | 2026-06-21T08:08:42Z | |
| dc.date.available | 2018-07-17T13:19:10Z | |
| dc.date.issued | 1999 | |
| dc.description | Tez (Yüksek Lisans) - Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 1999 | |
| dc.description.abstract | Monokristalik n-tipi silisyumun yüzey bölgesinde, elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum tabakası hazırlandı. Silisyum altlıktan ayrılmış ince tabakalı (yaklaşık 10 um kalınlıkta) gözenekli silisyumun iletkenliği p-tipi, özdirenci p=1.8xlOĞ Q.cm, deliklerin konsantrasyonu p=9.6xl012 cm"3 ve mobilitesi u=0.36 cm /V.s olarak oda sıcaklığında Van der Pauw Yöntemi ile ölçüldü. Elektron bombardımanıyla buharlaştırma yöntemi ile metal (Ag veya Cu)-gözenekli silisyum (GS)- silisyum eklemleri hazırlandı. Eklemlerin farklı şartlarda akım-gerilim karakteristikleri (karanlıkta, aydınlıkta, nem ortamında), fotoakımın spektral dağılımı ve kapasitans-gerilim karakteristikleri incelendi. Ag-GS, GS-Si ve Ag-GS-Si eklemlerin doğrultma katsayısı sırasıyla Kı=40, K2=54 ve K3=196 olarak bulundu. Bu eklemlerdeki potansiyel engel yüksekliği sırasıyla cpKl=0.6 V, | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14981/2581 | |
| dc.subject | Gözenekli silisyum | |
| dc.subject | Metal-yarı iletken metaller | |
| dc.title | Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri | |
| dc.type | masterThesis | |
| dspace.entity.type | Publication |
Dosyalar
Orijinal paket
1 - 1 of 1