Yayın:
Geri besleme uygulanmış bir transistörün düşük gürültülü kuvvetlendirici uygulamaları için performans karakterizasyonu

dc.contributor.authorYutttakal, Oktay
dc.date.accessioned2025-10-09T06:42:53Z
dc.date.accessioned2026-06-20T22:08:22Z
dc.date.available2025-10-09T06:42:53Z
dc.date.issued2020
dc.descriptionTez (Doktora) - Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020en_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında, geri beslemenin LNA performansı üzerine etkisi tamamen analitik bir çalışma ile ortaya konulmuştur. Bu çalışma, iki temel aşamaya dayanmaktadır. İlk aşamada; seri endüktif veya paralel kapasitif geri besleme uygulanmış transistör aktif iki kapılı olarak karakterize edilmiştir. Bu iki kapılının [z] ve gürültü parametreleri, transistörün ve geri beslemenin [z] ve gürültü parametreleri yardımıyla oluşturulmuştur. Çalışmanın ikinci aşamasında; gerçeklenebilir ve gerçeklenemez {Freq ≥ Fmin, Vin ≥ 1, Vout ≥ 1, GTmin ≤ GT ≤ GTmax} performans dörtlüsü, geri besleme parametreleri ve sonlandırma empedansları (ZS, ZL) seçilen çalışma noktasında (VDS, IDS), transistörün koşullu kararlı veya koşulsuz kararlı olmasına göre elde edilmiştir. Bu amaçla, düşük gürültü bir transistör için giriş kapısı uyumsuzluğu (Vin) ile maksimum kazanç (GTmax) arasındaki değişimleri gösteren tasarım tabloları istenilen gürültü değeri için geri beslemeye bağlı olarak oluşturulur. İstenilen gürültü değerine göre Vin ̶GTmax arasında oluşturulan tasarım tabloları kullanılarak, hangi frekans bölgesinde hangi geri besleme değerinin kullanılabileceği ve (Vin, Vout) ikilisi arasında geliştirilebilir bir optimizasyon değeri elde edilir. Daha sonra (Vin, Vout) arasında en iyi optimizasyon ilk aşamada elde edilen kaynak empedans değeri (Zs) ön tanımlı olarak kullanılarak, yük empedans değerinin (ZL) parametre olarak değiştirilmesiyle elde edilir. Son olarak, Freq(f) ≥ Fmin(f) şartını sağlayan, optimum (Vin, Vout) uyumsuzluk çifti ile kazanç GT değerini sağlayan, seri endüktif veya paralel kapasitif geri beslemeli transistörünün LNA uygulamaları için, farklı çalışma bantlarındaki performans karakterizasyonları tüm bant genişliğine dağıtılmış olarak sunulur. Sonuç olarak; bu detaylı çalışma, tasarımcılara tek bir seri endüktif veya paralel kapasitif eleman kullanılmasıyla, transistörün çalışma bant genişliğinin tamamının kullanılması, istenilen gürültü şartını ve kapı uyumsuzluklarını sağlayan performans karakterizasyonunun çıkartılması olanağını sağlamaktadır.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14981/13992
dc.language.isotren_US
dc.subjectMikrodalga transistörüen_US
dc.subjectGeri beslemeen_US
dc.subjectGürültü katsayısıen_US
dc.subjectVSWRen_US
dc.titleGeri besleme uygulanmış bir transistörün düşük gürültülü kuvvetlendirici uygulamaları için performans karakterizasyonuen_US
dc.typedoctoralThesisen_US
dspace.entity.typePublication

Dosyalar

Orijinal paket

Şimdi gösterimde1 - 1 of 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
Adı:
3.)10327314_Tezin_Tamamı.pdf
Boyut:
2,44 MB
Format:
Adobe Portable Document Format

Koleksiyonlar