Bir mikrodalga transistörünün yük empedans düzleminde performans karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışma uyumlu F, Vi, GrCG.^ ^Gt ^GTınax) üçlüleri ve uygun ZSsZl sonlandırma çiftlerine ilişkin ZL-düzleminde bir mikrodalga transistorun performans karakterizasyonunu verir. Bu daha önce Z^- düzleminde GÜNEŞ metodu kullanılarak yapılan performans karaterizasyonunu, lineer iki-kapılının lineer oransal (bilineer) birebir eşleme kuralları yardımıyla ZL-düzlemine dönüşümü ile elde edilir. Bu bağlamda tasarım konfigürasyonu koşulsuz kararlı çalışma bölgesi (KKÇB), sınırlandırılmış kazanç daire ailesi ve birleşik gürültü faktörü ve giriş VSWR daireleri (Tı,T2) nin ZL-düzleminde oluşumuyla meydana gelir. Böylece, ZL-düzleminde yük empedansma ilişkin karakterizasyon verileri doğrudan elde edilebilir. Bunun sonucu olarak, Tasarım konfigürasyonunda f, Vds, Ids çalışma parametrelerinin, konfigürasyon tipinin (KT), geribesleme devre elemanlarının etkileri doğrudan gözlemlenebilir. Bu nedenle çalışmamız dar-, orta- ve geniş-band devrelerinin, özellikle de MMTC tasarımında bir araç olarak kullanılabilir. Çalışmamızın ikinci kısmında, geribesleme devrelerinin etkilerini inceliyoruz. Çünkü geribesleme devreleri gürültü faktörünü değiştiren parazitik etkilere sahip olabilir. Seri ya da paralel geribeslemeli bir iki-kapılı devrenin gürültü faktörünün tam ifadesi standart olarak dört-gürültü parametresine ve admitans (ya da empedans) parametrelerine ilişkin olarak gösterilir. Bu çalışmamızda geribesleme devrelerinin genel bir durumu analiz ediliyor ve sonuçlar pratik de çok karşılaşılan tek kayıpsız geribesleme elemanına uygulanıyor. Sonuçlar, geribesleme devresinin etkilerini gösteren ilave terimleri içeren standart gürültü faktörü bağıntısıyla sunuluyor. Son olarak, birçok çalışılmış örnek veriliyor ve bu örnekler Z-m- ve Zl- düzlemlerinde birebir eşleme kurallarıyla oluşturulan tasarım konfigürasyonlan arasında karşılaştırma yapmamızı sağlıyor. Anahtar kelimeler : Yük, empedans, geribesleme