Mikroşerit hat süreksizliklerinin devre temelli yapay sinir ağı modeli

Abstract

Bu çalışmada, mikroşerit iletim hat süreksizliklerinin eşdeğer devre temelli yapay sinir ağıkara kutu modelinin oluşturulması amaçlanmıştır.Öncelikli olarak mikroşerit iletim hatlarında en çok karşılaşılan beş süreksizlik türü üzerindedurulmuştur. İncelenen mikroşerit iletim hat süreksizlikleri, açık devre, boşluk, basamak, T-jonksiyonu ve büküm süreksizlikleridir. Çalışmada süreksizlikler, eşdeğer devre elemanları ilemodellenmiş, analitik formüller ile elde edilmiş eşdeğer devre parametre değerleri ile yapaysinir ağının eğitilmesi sonucu elde edilen eşdeğer devre parametre değerleri karşılaştırılmıştır.Çalışmadaki amaç, yapay sinir ağlarının öğrenme yeteneğinden hareketle ağın eğitilmesi vesonuç olarak, kullanılan malzemenin elektriksel özellikleri, iletim hattı süreksizlikleri ilebirlikte geometrisine karşılık, süreksizliğe eşdeğer devre elemanları ve hat parametreleriçıktılarını veren bir kara-kutu modeli elde etmektir. Ele alınan malzemeler mikrodalgateknolojisinde çok yaygın olarak kullanılan iki anizotropik materyal PTFE/ microfiber cam,RT/ Duroid 6006 ve iki izotropik materyal Alumina, Galyum-arsenittir.Yapay sinir ağı, giriş çıkış bağıntıları ile oluşturulan ?otomatik veri? programı çıktıları ileeğitilmiş ve test edilmiştir. Bu yolla açık devre, boşluk, basamak, T-jonksiyonu ve bükümsüreksizliklerinin eşdeğer devre yapay sinir ağı (ED-YSA) modelleri oluşturulmuş,performansları karşılaştırmalı olarak ortaya konmuş ve süreksizlik etkileri de grafikleri ilebirlikte verilmiştir.Anahtar kelimeler: Mikroşerit Hat, Süreksizlik, Yapay Sinir Ağı.JÜRİ:1. Prof. Dr. Filiz GÜNEŞ (Danışman) Kabul Tarihi: 28.09.20062. Doç. Dr. Sedef KENT Sayfa Sayısı: 1053. Y. Doç. Dr. Hamid TORPİ