Gözenekli silisyumda He-Ne lazerinin yapısal etkileri

Abstract

Silisyum, yüksek oranda elektronik fonksiyonelliğe ideal bir örnek olarak entegre devrelerin en temel malzemesidir. Ayrıca oda sıcaklığında çalışma için ideal olan 1.12 eV'luk enerji aralığı ve tek bir çip üzerine 108 komponent yerleştirmeyi mümkün kılan Si02 bileşiği ile yarıiletken teknolojisinde ideal bir elementtir. Gözenekli silisyum ince silisyum levhalarının HF bazlı elektrolitte anodizasyonu veya bir HF.HNO3:Distile su karışımında herhangi bir gerilim uygulamadan yüzey aşındırma yöntemi ile elde edilir. Normal silisyumdan en önemli farkı oda sıcaklığında fotoluminesans özellik sergilemesidir. Bu çalışma gözenekli silisyum üzerine yapılan yapısal bir araştırmadır. Bu çalışmada n ve p tipi ince silisyum levhaları üzerinde elektrolizsiz yüzey aşındırma yöntemi ile büyütülen gözenekli silisyum levhalarının yapısal özellikleri infrared spektrumu yardımı ile çalışılmıştır. Deney sırasında bazı örnekler üzerindeki gözenekli silisyum tabaları He-Ne lazeri altında büyütülmüştür. He-Ne lazerinin p-tipi örneklerde etkisi net olarak gözükmemektedir. Ancak He-Ne lazerinin n-tipi örneklerde enerji bantlarım kuvvetlendirdiği gözlenmiştir. Daha sonra bu sonuçların net olarak gözlendiği iki örnek belli sıcaklıklarda tavlanarak,100,200,300,400,450°C), IR spektrumları alınmıştır. Bu spektrumlarda 2300 cm"1 civarında hidrojen ilgili olduğu düşünülen bir bant gözlenmiştir. Yüzeydeki malzemenin artan tavlama sıcaklıklığıyla desorpsiyonu literatürle uyum içindedir.