Plazma yardımlı kimyasal buhar depolama yöntemiyle üretilen hidrojenli amorf silisyum ince filmlerde karbon ve bor atomlarının elektriksel ve optik özelliklere etkileri

Abstract

Bu çalışmada, hidrojenli saf ve p tipi amorf silisyum (a-Sİ:H), ile amorf silisyum karbür (a-S!C:H) ince filmler Plazma Yardımlı Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) yöntemiyle elde edilmiş ve metan ile diboran gazlarının değişik oranlarına göre filmlerdeki elektriksel ve optik özellikler incelenmiştir. Saf durumdayken karanlık öziletkenliği 3,5.10"' Q'1cm"' ve aktivasyon enerjisi 0,84 eV olarak belirlenen sözkonusu filmlerin, bor ve karbon atomlarının ilavesiyle bu özelliklerinin değişimleri elektriksel deneylerle incelenmiştir. Diğer yandan, saf haldeyken kırılma indisi 3,4, kalınlığı 1000 nın ve optik band aralığı 1,721 eV olarak elde edilen filmlerin bu özelliklerindeki değişimler yine metan ve diboran gaz oranlarına göre 400-1100 nm aralığında incelenerek elde edilen sonuçlar değerlendirilmiştir. Ayrıca, saf hidrojenli amorf silisyum filmlerde 10 mW/cm2'lik beyaz ışık altında Staebler-Wronskl olayı da araştırılmıştır. Bu çalışmada, ince film amorf silisyum güneş pillerinin elde edilmesinde bir basamak olan p tipi amorf silisyum karbür tabakaların optimizasyonu yapılarak, bu konuda daha ileri çalışmalara olan gereksinim belirtilmiştir.