Ag-gözenekli silisyum eklemlerin kapasitif özellikleri

Abstract

Özdirenci 0.006-0.015 Ocm ve kalınlığı yaklaşık 381 fj.ni olan Sb katkılı «-tipi monokristalik silisyumun yüzey bölgesinde elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum (GS) tabakası oluşturuldu. GS filmin gözenekliliği % 35-50 olarak hesaplandı, kalınlığı 5-20 um arasında ölçüldü, optik geçirgenliğine spektrofotometre ile 300-1000 nm aralığında bakıldı, soğurma katsayısı hesaplanarak absorbsiyon katsayısı spektrumu çizildi ve yasak enerji aralığı yaklaşık 1.41 eV olarak bulundu. Elektron demeti yöntemiyle Ag-GS eklemleri elde edildi. Eklemlerin yüzey kontakları yapılıp aydınlık ve karanlık ortamlarda akım-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin daha yüksek doğrultma katsayısına ve daha küçük ışık duyarlılığına sahip olduğu görüldü. Ag-GS eklemlerin farklı ortamlarda (normal, aydınlık, karanlık ve nem) 0.05-100 kHz frekanslarda (seri ve paralel olarak) kapasitans-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin kalınlığının iyonlaşmış akseptörlerin konsantrasyonu ile ters orantılı olduğu bulundu. Ag-GS-Si eklemlerin kapasitansına nemin etkisi incelendi. % 35-95 nispi nemlik aralığında kapasitansta 5 nF'dan 800 nF'a kadar keskin bir artış elde edildi. BelH bir nispi nemlikte frekans azaldıkça kapasitansın arttığı gözlendi. Nemin etkisi ile Ag-GS-Si eklemin kapasitansındaki artışın, Ag-GS eklemine göre daha keskin olduğu belirlendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamına tepki süresi incelendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamından normal oda ortamına çıkarıldıktan sonra kapasitansın ilk değerine ulaşma süresi yaklaşık 10-20 saniye olarak tespit edildi.