Metal organik kimyasal buhar biriktirme tekniğiyle p-i-n yapısında büyütülen galyum nitrit esaslı ışık yayan diyotların incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütülen I nxGa1−xN/GaN filmlerden oluşan p-i-n yapıdaki ışık yayan diyotların (LED) içerdiği indiyum (In) konsantrasyonunun değişimiyle (%10, %20 ve %30) açığa çıkan farklı dalga boylarındaki ışımaların elektriksel, optik ve opto-elektronik karakterizasyonu yapılmıştır. i-tabakasının tek tabaka (SL) ve çoklu kuantum kuyulu (MQW) yapıda olduğu bu diyotların elektrolüminesans (EL), fotolüminesans (PL) ve fotovoltaj/fotoakım (PV/PC) ölçümlerinden elde edilen spektrumların maksimum değer, şiddet, dalgaboyu ve yarı yükseklikteki tam genişlik (FWHM) değerlerinin sıcaklığa bağlı değişimleri incelenip ışıma merkezleri, optik /elektronik geçişler ve aktivasyon enerjileri belirlenmiştir. Doğru akım (DC) ve alternatif akım (AC) uygulanmasıyla yapılan sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleriyle de yapıda ortaya çıkan akım iletim mekanizmaları, iletkenlik aktivasyon enerjileri, elektron ve hol mobiliteleri gibi özellikleri tespit edilmiştir.