Bazı manyetik ve yarı iletkenlerin elektronik ve manyetik özellikleri üzerinde sıkıştırma ve genleşme etkisinin incelenmesi

Abstract

Heusler bileşikleri sergiledikleri fark manyetik özelliklerinden ve bu özelliklere

bağlı olarak spintronik teknolojisinde kullanım alanlarından dolay: son yıllarda

birçok araştırmacının ilgisini cezbetmektedir. Bu tez çalışmasında Heusler bileşikleri ailesinden dörtlü Heusler bileşiklerinden olan altı aynı Heusler bileşiğinin yapısal, elektronik ve manyetik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi üzerine geliştirilmiş FPLO yazılımı yardımıyla teorik olarak incelenmiştir. Üzerinde çalışılan Heusler yapıların azınlık ve yoğunluk spin kanallarında Fermi enerjisi seviyesinde farklı genişlikte yasak bant aralıklarının olduğu ve bileşiklerin manyetik yan-iletken karakter sergilediği gösterilmiştir. Elektronik/manyetik özelliklerin pozitif/ negatif

basınç altındaki değişimi grafiksel olarak sergilenerek, her al Heusler yapımın

yarı-iletken yapılarındaki ve bileşiklerdeki elementlerin manyetik tepkilerindeki

değişim üzerine odaklanılmıştır.