Yayın:
Bazı manyetik ve yarı iletkenlerin elektronik ve manyetik özellikleri üzerinde sıkıştırma ve genleşme etkisinin incelenmesi

dc.contributor.authorTanrıverdi, Zafer Zeki
dc.date.accessioned2024-01-22T11:30:40Z
dc.date.accessioned2026-06-21T08:15:55Z
dc.date.available2024-01-22T11:30:40Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionTez (Yüksek Lisans) - Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019en_US
dc.description.abstractHeusler bileşikleri sergiledikleri fark manyetik özelliklerinden ve bu özelliklere bağlı olarak spintronik teknolojisinde kullanım alanlarından dolay: son yıllarda birçok araştırmacının ilgisini cezbetmektedir. Bu tez çalışmasında Heusler bileşikleri ailesinden dörtlü Heusler bileşiklerinden olan altı aynı Heusler bileşiğinin yapısal, elektronik ve manyetik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi üzerine geliştirilmiş FPLO yazılımı yardımıyla teorik olarak incelenmiştir. Üzerinde çalışılan Heusler yapıların azınlık ve yoğunluk spin kanallarında Fermi enerjisi seviyesinde farklı genişlikte yasak bant aralıklarının olduğu ve bileşiklerin manyetik yan-iletken karakter sergilediği gösterilmiştir. Elektronik/manyetik özelliklerin pozitif/ negatif basınç altındaki değişimi grafiksel olarak sergilenerek, her al Heusler yapımın yarı-iletken yapılarındaki ve bileşiklerdeki elementlerin manyetik tepkilerindeki değişim üzerine odaklanılmıştır.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14981/13529
dc.language.isotren_US
dc.subjectHeuslaren_US
dc.subjectYoğunluk fonksiyonel teorisien_US
dc.subjectFPLOen_US
dc.titleBazı manyetik ve yarı iletkenlerin elektronik ve manyetik özellikleri üzerinde sıkıştırma ve genleşme etkisinin incelenmesien_US
dc.typemasterThesisen_US
dspace.entity.typePublication

Dosyalar

Orijinal paket

Şimdi gösterimde1 - 1 of 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
Adı:
F685A.pdf
Boyut:
34,96 MB
Format:
Adobe Portable Document Format

Koleksiyonlar