Bu çalışmada, farklı oksit kalınlıkları ile oluşturulan Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ±5V aralığında incelendi. Elde edilen ölçümler ile yapının ...