Özet:
Bu çalışmada, farklı oksit kalınlıkları ile oluşturulan Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ±5V aralığında incelendi. Elde edilen ölçümler ile yapının idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ϕB), seri direnci (Rs), taşıyıcı yoğunluğu (NA) ve arayüzey durumlarının sayısı (Nss) belirlendi. Sıcaklık artışı ile birlikte ϕB ve Rs değerlerinde düşüş, n değerinde artış gözlemlenirken NA ve Nss değerlerinde incelenen sıcaklık aralığında belirgin bir değişim görülmedi. Diyotun nem algılama özelliğinin incelenmesi için nem ortamında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler sonucunda nem etkisi ile diyotun direncinde azalma meydana geldiği görüldü. Bu nedenle diyotun sensör uygulamaları için uygun bir davranış gösterdiği anlaşıldı.
