Al/Al2O3/CdS MIS yapısının yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Moğulkoç, Muzaffer

Yıldız Teknik Üniversitesi Açık Arşivi
→
Tezler
→
Fen Bilimleri Enstitüsü
→
Fen Bilimleri Enstitüsü Yüksek Lisans Tezleri
→
Fizik
→
Öğe Göster

dc.contributor.advisor	Doç. Dr. Merih Serin
dc.contributor.advisor	Öğr. Gör. Murat Çalışkan
dc.contributor.author	Moğulkoç, Muzaffer
dc.date.accessioned	2018-07-17T13:19:09Z
dc.date.available	2018-07-17T13:19:09Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.uri	http://localhost:6060/xmlui/handle/1/2579
dc.description	Tez (Yüksek Lisans) - Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2013
dc.description.abstract	Bu çalışmada, farklı oksit kalınlıkları ile oluşturulan Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ±5V aralığında incelendi. Elde edilen ölçümler ile yapının idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ϕB), seri direnci (Rs), taşıyıcı yoğunluğu (NA) ve arayüzey durumlarının sayısı (Nss) belirlendi. Sıcaklık artışı ile birlikte ϕB ve Rs değerlerinde düşüş, n değerinde artış gözlemlenirken NA ve Nss değerlerinde incelenen sıcaklık aralığında belirgin bir değişim görülmedi. Diyotun nem algılama özelliğinin incelenmesi için nem ortamında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler sonucunda nem etkisi ile diyotun direncinde azalma meydana geldiği görüldü. Bu nedenle diyotun sensör uygulamaları için uygun bir davranış gösterdiği anlaşıldı.
dc.subject	CdS
dc.subject	Metal-yalıtkan-yarı iletken
dc.subject	MIS
dc.subject	Schottky eklem
dc.subject	Diyot
dc.subject	Arayüz durum yoğunluğu
dc.subject	Al2O3
dc.subject	Anodik oksidasyon
dc.subject	Sensör
dc.title	Al/Al2O3/CdS MIS yapısının yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
dc.type	Tez