Özet:
Bu çalışmada metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütülen
I nxGa1−xN/GaN filmlerden oluşan p-i-n yapıdaki ışık yayan diyotların (LED)
içerdiği indiyum (In) konsantrasyonunun değişimiyle (%10, %20 ve %30) açığa
çıkan farklı dalga boylarındaki ışımaların elektriksel, optik ve opto-elektronik
karakterizasyonu yapılmıştır. i-tabakasının tek tabaka (SL) ve çoklu kuantum kuyulu
(MQW) yapıda olduğu bu diyotların elektrolüminesans (EL), fotolüminesans (PL)
ve fotovoltaj/fotoakım (PV/PC) ölçümlerinden elde edilen spektrumların maksimum
değer, şiddet, dalgaboyu ve yarı yükseklikteki tam genişlik (FWHM) değerlerinin
sıcaklığa bağlı değişimleri incelenip ışıma merkezleri, optik /elektronik geçişler ve
aktivasyon enerjileri belirlenmiştir. Doğru akım (DC) ve alternatif akım (AC)
uygulanmasıyla yapılan sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V)
ölçümleriyle de yapıda ortaya çıkan akım iletim mekanizmaları, iletkenlik aktivasyon
enerjileri, elektron ve hol mobiliteleri gibi özellikleri tespit edilmiştir.
