Özet:
Monokristalik n-tipi silisyumun yüzey bölgesinde, elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum tabakası hazırlandı. Silisyum altlıktan ayrılmış ince tabakalı (yaklaşık 10 um kalınlıkta) gözenekli silisyumun iletkenliği p-tipi, özdirenci p=1.8xlOĞ Q.cm, deliklerin konsantrasyonu p=9.6xl012 cm"3 ve mobilitesi u=0.36 cm /V.s olarak oda sıcaklığında Van der Pauw Yöntemi ile ölçüldü. Elektron bombardımanıyla buharlaştırma yöntemi ile metal (Ag veya Cu)-gözenekli silisyum (GS)- silisyum eklemleri hazırlandı. Eklemlerin farklı şartlarda akım-gerilim karakteristikleri (karanlıkta, aydınlıkta, nem ortamında), fotoakımın spektral dağılımı ve kapasitans-gerilim karakteristikleri incelendi. Ag-GS, GS-Si ve Ag-GS-Si eklemlerin doğrultma katsayısı sırasıyla Kı=40, K2=54 ve K3=196 olarak bulundu. Bu eklemlerdeki potansiyel engel yüksekliği sırasıyla cpKl=0.6 V,
