Özet:
Güneş pili yapımında kullanılan metal-CuInSe2 eklemlerin elektriksel özellikleri incelendi. Polikristal olarak elde edilen p-CuInSe2 yarıiletkeni tek kaynaktan buharlaştırma \c selenleştirme yöntemleriyle cam üzerine (slum kalınlıklı) ince film olarak kaplandı. Elde edilen ince filmlerin kristal yapılan XID yöntemiyle incelendi. CIS tek kristallerinin çoğunun (112) düzlemine yönelmiş oldukları görüldü. Hacimsel p-CuInSe2 yarıiletkenin iletkenlik sıcaklık ölçümlerinden yasak enerji aralığı l,03eV olarak bulundu. İnce film p-CuInSe2 yarıiletkenine Ag, Mo, Ni, in, In/Ga metalleriyle kontak yapılarak bu kontakların akım-gerilim karakteristikleri incelendi ve Ni metal kontağın omik karakteristiği ve düşük direnç özelliği gösterdiği anlaşıldı. Molibdenin, p-CuInSe2 ince filmi içine difüzyonu incelendi 430°C de lOdk. tavlama verilen CuInSe2 filmine molibdenin difuzyon katsayısı 2,1x1 0"I2cm2/s olarak bulundu ve 240-520"C arasında difuzyon katsayıları ölçümleri sonucunda molibdenin 0.53eVluk aktivasyon enerjisine sahip olduğu gözlemlendi. İletkenlik-tavlama zamanı ölçümlerinden 24ü"C için molibdenin CuInSe2 filmi içine difuzyon katsayısı l,3xl0"13 cm2/s olarak ölçüldü. p-tipi CuInSe2 filme difuzyon ile katlı yapılmış Mo atomlarının, filmin iletkenliğini artırdığı gözlendi diğer taraftan Mo katkının CuInSe2 filmlerde yeni bir ilave akseptör enerji düzeyi oluşturmadığı görüldü.
