Özet:
Bu teşde, CMOS tekniği ile oluşturulmuş iki çeşit akım taşıyıcı devrenin önce TÜBİTAK YİTAL 3um CMOS prosesine ait parametreler kullanılarak PSPICE simûlasyonlan yapılmış, ardından devrelerin silisyum kırmık üzerindeki selimleri aynı prosese ait tasarım kuralları kullanılarak tasarlanmıştır. Son olarak devrelerin parazrtik etkileri de hesaba katan postsimulasyonlan yapılmıştır. Bu tezde tasarlanan akım taşıyıcı devreler CMOS tekniği ile oluşturulmuş ikinci kuşak pozitif ve negatif akım taşıyıcı devreleridir. Negatif akım taşıyıcı (CCII-) devresinin pozitif akım taşıyıcıdan (CCII+) tek farkı çıkış akımının ters yönde olmasıdır. Bu devreler aktif devre sentezindeki pek çok uygulamada kullanılabilir. Tezde tasarlanan devrenin kullanılabileceği alanlardan biri, yine bu tezde sözü edilecek olan TH (Temel Hücre) devresidir. Bu devrenin gerçeklenebilmesi için iki adet pozitif akün taşıyıcı (CCII+) ve iki adet de negatif akım taşıyıcı (CCII-) gerektiğinden tasarlanan kırmık üzerinde bu iki çeşit akım taşıyıcı devreden ikişer adet bulunmaktadır. Yapılan simülasyonlarda devrelerin çalışması üç açıdan incelenmiştir. Uk olarak devredeki düğüm gerilimleri, kaynaklardan çekilen akımlar ve devrede harcanan gücü görmemizi sağlayacak çalışma noktası analizi, daha sonra devrenin temel fonksiyonlarım yerine getirip getirmediğini test eden DC analiz ve son olarak da devrenin kullanılabileceği frekans andığının belirlenmesini sağlayan AC analizdir. Selimin tasarlanmasında L-EDIT programı kullanılmış, daha sonra Cadence ortamında devrenin tasarım kurallarına ilişkin son kontrolleri, düzeltmeler ve postsimulasyonları yapılmıştır.
