Özet:
Heusler bileşikleri sergiledikleri fark manyetik özelliklerinden ve bu
özelliklere
bağlı olarak spintronik teknolojisinde kullanım alanlarından dolay: son yıllarda
birçok
araştırmacının ilgisini cezbetmektedir. Bu tez çalışmasında Heusler
bileşikleri ailesinden dörtlü
Heusler bileşiklerinden olan altı aynı Heusler
bileşiğinin yapısal, elektronik ve
manyetik özellikleri
Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi üzerine geliştirilmiş FPLO
yazılımı yardımıyla teorik olarak incelenmiştir.
Üzerinde çalışılan Heusler
yapıların azınlık ve yoğunluk spin kanallarında Fermi enerjisi seviyesinde farklı
genişlikte yasak bant aralıklarının olduğu ve bileşiklerin manyetik yan-iletken
karakter sergilediği gösterilmiştir.
Elektronik/manyetik özelliklerin pozitif/ negatif
basınç altındaki değişimi grafiksel olarak sergilenerek,
her al Heusler yapımın
yarı-iletken yapılarındaki ve bileşiklerdeki elementlerin manyetik tepkilerindeki
değişim üzerine odaklanılmıştır.
