Özet:
CdTe tabanlı ince filmler, hem üretim maliyetlerinin düşüklüğü; hem de yasak
bant aralığının fotovoltaik piller için ideal olması gibi avantajları ile güneş
pillerinin verimliliğinin arttırılması üzerine yapılan çalışmalarda öne çıkmaktadır.
Ayrıca CdTe’ün çok kristalli yapısından dolayı içerdiği tanecik sınırlarına yapılan
katkılama işlemleri, elektriksel ve optik özellikleri önemli ölçüde
değiştirilebilmektedir. Bu çalışmada CdTe yarıiletkeninin düşük oluşum enerjili
Σ3(111) tanecik sınırına yapılan Cu, Ag ve Au metal katkılama işlemlerinin
CdTe’ün elektronik-bant yapısında oluşturduğu değişimler incelenmiştir.
Çalışmanın ilk kısmında yoğunluk fonksiyonel teori (DFT) altında, düzlem dalga
ve pseudopotansiyel metod kullanılarak VASP programı ile CdTe kristalinin
yapısal ve elektronik özellikleri belirlendi. İkinci kısımda ise Σ3(111) tanecik
sınırlı CdTe yapıya metal katkılar yapılarak elde edilen yapının bant yapısı ve
elektronik özellikleri incelendi. Yapılan bu hesaplamalar ile katkının tanecik sınırlı
yarıiletkenin bant aralığında daralma meydana getirdiği görülmüş ve katkısız
durumlar ile kıyaslanmıştır.
